Forum - VseProsto.net

Пожалуйста, войдите или зарегистрируйтесь.

Расширенный поиск  

Новости:

SMF

Автор Тема: Samsung прогрессирует.  (Прочитано 968 раз)

fanttom

  • *****
  • Карма: +48/-1
  • Оффлайн Оффлайн
  • Сообщений: 541
    • Просмотр профиля
Samsung прогрессирует.
« : 26 Август 2015, 01:20:51 »

Samsung сообщила о старте серийного производства 48-слойной памяти V-NAND с ёмкостью 256 Гбит и плотностью 3 бита на ячейку. Пилотный проект получил название BiCS Flash.В марте текущего года компании Intel и Micron сообщали о начале отгрузки 32-слойной памяти V-NAND с ёмкостью 256 Гбит и с технологией плавающей запятой. Позже разработчики также анонсировали загадочную технологию 3D XPoint, которая будет задействована в новых решениях уже в этом году.В 48-слойной памяти от Samsung применена технология ловушки заряда. Новые чипы содержат 85,2 млрд. ячеек памяти, каждая из которых может хранить до 3 разрядов. В новинках на 30 % снижено энергопотребление по сравнению с 32-слойными устройствами типа V-NAND с ёмкостью 128 Гбит (при хранении одинакового объёма данных). Также на 40 % снижена стоимость за 1 бит. http://datasheet.su/news/3584:2015-08-19
Записан